SK hynix va investir 54 billions de wons dans deux nouvelles usines à Yongin et Cheongju afin de répondre à la demande croissante de mémoire pour l’IA. Les usines devraient être opérationnelles d’ici 2029 et 2030.
SK hynix a décidé de construire deux nouvelles installations de production pour couvrir les besoins à long terme en mémoire pour l’IA. L’entreprise investit 35,2 billions de wons dans l’usine Yongin Y2 et 19,1 billions de wons dans l’usine Cheongju M17.
L’usine Y2 à Yongin, d’une superficie de 1,13 million de mètres carrés, se concentre sur la production de DRAM, y compris la mémoire à large bande passante (HBM). La construction débutera en juillet 2027, avec une ouverture prévue de la première salle blanche en juin 2029.
Cheongju M17 pour la production de NAND
L’usine Cheongju M17, d’une superficie de 680 000 mètres carrés, se concentrera sur la production de NAND, en particulier pour les SSD d’entreprise et les applications d’IA telles que le cache clé-valeur. La construction commencera en février 2027, avec une ouverture prévue en décembre 2028.
SK hynix ne considère pas la demande croissante de mémoire comme une tendance temporaire, maar comme un changement structurel où la mémoire joue un rôle central dans les performances de l’IA. L’entreprise souhaite aligner sa capacité de production sur la demande des clients pour rester compétitive.
Impact sur le marché et plans d’avenir
Ces investissements font partie d’un plan plus vaste visant à achever quatre usines dans le pôle semi-conducteur de Yongin d’ici 2033, soit 12 ans plus tôt que prévu initialement. SK hynix entend ainsi jouer un rôle clé dans la stabilité de la chaîne d’approvisionnement mondiale des semi-conducteurs pour l’IA.
Selon le cabinet d’études de marché Omdia, la demande de DRAM et de NAND connaîtra une croissance annuelle composée de 19 % jusqu’en 2030. Avec ces investissements, SK hynix espère non seulement assurer sa propre croissance, mais aussi contribuer au renforcement de l’écosystème des semi-conducteurs en Corée du Sud.