Lors de tests, Imec présente les premiers résultats probants avec les machines High NA EUV d’ASML. Ces machines devraient permettre à l’avenir la production de puces sur des nœuds inférieurs à 2 nm.
Au cours des tests, Imec démontre des rendements élevés pour les structures métalliques, construites avec les dernières machines High NA EUV d’ASML. Ces machines de lithographie devraient permettre à l’avenir la fabrication de puces sur des nœuds inférieurs à 2 nm. En attendant, Imec collabore avec des partenaires du secteur pour apprendre à utiliser ces machines.
Concrètement, Imec partage le succès des premiers tests électriques, réalisés sur des structures métalliques avec un pas de 20 nanomètres et produites par une seule exposition via la lithographie High NA extreme ultraviolet (EUV). Les résultats confirment la faisabilité de cette technologie pour la future production de puces. Ils font suite à un précédent test réussi des machines axé sur les structures DRAM.
Confirmation des possibilités
Les tests ont été effectués sur des structures dites en serpentin et en fourche-fourche et démontrent un rendement électrique supérieur à 90 pour cent. Cela indique une faible présence de défauts, ce qui est essentiel pour une production fiable de semi-conducteurs. Ces mesures constituent une étape importante dans la validation de la lithographie High NA EUV et des processus associés.
En août 2024, Imec avait déjà démontré la production de structures logiques et DRAM avec une seule exposition via High NA EUV. Les nouveaux résultats de tests confirment que le procédé est également adapté aux structures métallisées à cette échelle. Imec a utilisé pour cela une résine négative à base d’oxyde métallique (MOR).
Collaboration dans le secteur
Le développement de la lithographie High NA EUV se fait en collaboration avec divers partenaires, notamment des fabricants de puces, des fournisseurs de matériaux et de masques, et des spécialistes en équipements de mesure. Selon Imec, les nouveaux tests fournissent des informations importantes sur la réduction des défauts et l’amélioration du processus de production.
En combinant ces résultats avec l’inspection par microscopie électronique et les mesures de conductivité, les mécanismes de défauts tels que les ruptures et les ponts peuvent être mieux analysés. Cela aide à l’optimisation ultérieure des résines et d’autres paramètres du processus. Imec continue à travailler sur des améliorations en collaboration avec ses partenaires industriels pour rendre le High NA EUV adapté à la production de masse de puces inférieures à 2 nanomètres.